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源高（f）h-BN壳层厚度与涂层次数的函数关系图。质量（c）氮化处理后Cu@h-BNNWs的HRTEM图像。

（d~f）分别为单个Cu@h-BNNW的Cu（蓝色）、发展B（红色）和N（黄色）的EDS元素映射图像及其TEM图像。（d）在200℃下加热8小时后的CuNWs、回顾CuNWs/PMMA和Cu@h-BNNWs的照片。【成果简介】近日，年中厦门大学蔡端俊教授、年中李森森教授（共同通讯作者）等人报道了六方氮化硼钝化技术并制备出了超稳定的、选择性透明的铜纳米线导体。

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发展（c）Si衬底上Cu-NWs的SEM图像。

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